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NXP Semiconductors
PESDxL5UF/V/Y
Low capacitance unidirectional ?vefold ESD protection diode arrays
1.4 Quick reference data
Table 2. Quick reference data
T amb = 25 ° C unless otherwise speci?ed.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Per diode
V RWM
reverse standoff voltage
PESD3V3L5UF
-
-
3.3
V
PESD3V3L5UV
PESD3V3L5UY
PESD5V0L5UF
-
-
5.0
V
PESD5V0L5UV
PESD5V0L5UY
C d
diode capacitance
f = 1 MHz; V R = 0 V
PESD3V3L5UF
-
22
28
pF
PESD3V3L5UV
PESD3V3L5UY
PESD5V0L5UF
-
16
19
pF
PESD5V0L5UV
PESD5V0L5UY
2. Pinning information
Table 3.
Pinning
Pin
Description
Simpli?ed outline
Symbol
PESD3V3L5UF; PESD5V0L5UF
1
cathode (diode 1)
2
common anode
1
2
3
1
6
3
4
cathode (diode 2)
cathode (diode 3)
2
3
5
4
5
6
cathode (diode 4)
cathode (diode 5)
6 5
bottom view
4
006aaa159
PESD3V3L5UV; PESD5V0L5UV
1
cathode (diode 1)
2
common anode
6
5
4
1
6
3
4
cathode (diode 2)
cathode (diode 3)
2
3
5
4
5
6
cathode (diode 4)
cathode (diode 5)
1
2
3
006aaa159
PESDXL5UF_V_Y_2
? NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 8 January 2008
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